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1N6073

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 3A 2PIN A - Bulk
1N6073 技术参数
  • 1N6072A 功能描述:TVS DIODE 185VWM 328VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):185V 电压 - 击穿(最小值):209V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:328V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.6A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6072 功能描述:TVS DIODE 175VWM 344VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):175V 电压 - 击穿(最小值):198V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:344V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6071A 功能描述:TVS DIODE 170VWM 294VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):170V 电压 - 击穿(最小值):190V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:294V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.1A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6071 功能描述:TVS DIODE 165VWM 308VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):165V 电压 - 击穿(最小值):180V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:308V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4.9A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6070A 功能描述:TVS DIODE 160VWM 278VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):160V 电压 - 击穿(最小值):181V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:278V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6078 1N6078US 1N6079 1N6079US 1N6080 1N6080US 1N6081 1N6081US 1N6095 1N6095R 1N6096 1N6096R 1N6097 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101
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