1N6080+JANTX

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1N6080+JANTX
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
2220
Defense Supply Center (CO
原厂原装
24+
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授权代理商

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1N6080+JANTX 技术参数

1N6080 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6079 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6078US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6078 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1.3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105 1N6105A