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配单专家企业名单

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说明
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1N6081
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
500
SEMTECH
1521+
-
全新原装现货

1N6081
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N6081
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N6081
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
SEMTECH
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

1N6081
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
SEMTECH
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 150V 12A 2-Pin Case G
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 12A 2PIN G-MELF - Bulk

1N6081 技术参数

1N6080US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6080 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6079 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6078US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:E-MELF 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105 1N6105A 1N6105AUS 1N6105US