1N6104JX

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制造商
Semtech Corporation
功能描述

1N6104JX 技术参数

1N6104AUS 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM 12.1VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.2V 电压 - 击穿（最小值）:7.79V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:41.3A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6104A 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.2V 电压 - 击穿（最小值）:7.79V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:41.3A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6104 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:6.2V 电压 - 击穿（最小值）:7.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.71V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:39.24A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6103US 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.7V 电压 - 击穿（最小值）:6.77V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.76V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:42.37A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6103AUS 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:5.7V 电压 - 击穿（最小值）:7.13V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:44.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6107 1N6107A 1N6107AUS 1N6107US 1N6108 1N6108A 1N6108AUS 1N6108US 1N6109 1N6109A 1N6109AUS 1N6109US 1N6110 1N6110A 1N6110AUS 1N6110US 1N6111 1N6111A