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1N6108AUSJANTX

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
1N6108AUSJANTX 技术参数
  • 1N6108AUS 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.1V 电压 - 击穿(最小值):11.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:16.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):29.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6108A 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.1V 电压 - 击穿(最小值):11.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:16.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):29.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6108 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.1V 电压 - 击穿(最小值):10.83V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:17.75V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):28.12A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6107US 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):8.4V 电压 - 击穿(最小值):9.93V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:16.38V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):30.4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6107AUS 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):8.4V 电压 - 击穿(最小值):10.45V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:15.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):32A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6111 1N6111A 1N6111AUS 1N6111US 1N6112 1N6112A 1N6112AUS 1N6112US 1N6113 1N6113A 1N6113AUS 1N6113US 1N6114 1N6114A 1N6114AUS 1N6114US 1N6115 1N6115A
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