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1N6112AJANTX

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    1N6112AJANTX

  • 标准国际(香港)有限公司
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    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Bi-Dir 13.7V 500W 2-Pin Case E
1N6112AJANTX 技术参数
  • 1N6112A 功能描述:TVS DIODE 13.7VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):13.7V 电压 - 击穿(最小值):17.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):19.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6112 功能描述:TVS DIODE 13.7VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):13.7V 电压 - 击穿(最小值):16.25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:26.36V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):18.91A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6111US 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.2V 电压 - 击穿(最小值):14.44V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:23.42V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):21.28A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6111AUS 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.2V 电压 - 击穿(最小值):15.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):22.4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6111A 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):12.2V 电压 - 击穿(最小值):15.2V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):22.4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6114US 1N6115 1N6115A 1N6115AUS 1N6115US 1N6116 1N6116A 1N6116AUS 1N6116US 1N6117 1N6117A 1N6117AUS 1N6117US 1N6118 1N6118A 1N6118AUS 1N6118US 1N6119
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