1N6124AJANTX

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 42.6V 500W 2-Pin Case E
制造商
Semtech Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 42.6V 500W 2-Pin
制造商
Microsemi
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 42.6V 500W 2-Pin Case E

1N6124AJANTX 技术参数

1N6124A 功能描述:TVS DIODE 42.6VWM 77VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:42.6V 电压 - 击穿（最小值）:53.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.5A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6124 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6123US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6123AUS 功能描述:TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:38.8V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:70.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6123A 功能描述:TVS DIODE 38.8VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:38.8V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:70.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:7.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6126US 1N6127 1N6127A 1N6127AUS 1N6127US 1N6128 1N6128A 1N6128AUS 1N6128US 1N6129 1N6129A 1N6129AUS 1N6129US 1N6130 1N6130A 1N6130AUS 1N6130US 1N6131