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1N6145US

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  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

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  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪宝宇

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    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL BI-DIR 9.9V 1.5KW 2PIN D-5C - Bulk
1N6145US 技术参数
  • 1N6145AUS 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.9V 电压 - 击穿(最小值):12.35V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):82.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 1N6145A 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.9V 电压 - 击穿(最小值):12.35V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):82.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6145 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6144US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6144AUS 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.1V 电压 - 击穿(最小值):11.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:16.9V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):88.8A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,C 供应商器件封装:C,SQ-MELF 标准包装:1 1N6148A 1N6148AUS 1N6148US 1N6149 1N6149A 1N6149AUS 1N6149US 1N6150 1N6150A 1N6150AUS 1N6150US 1N6151 1N6151A 1N6151AUS 1N6151US 1N6152 1N6152A 1N6152AUS
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