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1N6467JANTXV

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1N6467JANTXV 技术参数
  • 1N6467 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):40.3V 电压 - 击穿(最小值):43.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):45A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6466US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):63A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6466 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):63A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6465US 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC BMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):27V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):69A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6465 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):27V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):69A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6471US 1N6472 1N6472US 1N6473 1N6473US 1N6474 1N6474US 1N6475 1N6475US 1N6476 1N6476US 1N6478-E3/96 1N6478-E3/97 1N6478HE3/96 1N6478HE3/97 1N6479-E3/96 1N6479-E3/97 1N6479HE3/96
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