1N6657R

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1N6657R 技术参数

1N6657 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6651 1N6643US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6643 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6642USE3 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R 1N6674 1N6674R 1N6675 1N6676 1N6677-1 1N6677UR-1 1N6700 1N6700US 1N6701