1N974C

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Silicon 500 mW Zener Diodes

1N974C 技术参数

1N974B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N974B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N974B BK 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N974B 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N974A 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 27.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N976B_T50R 1N977A 1N977B 1N977B_T50A 1N977B_T50R 1N978A 1N978B 1N978B BK 1N978B TR 1N978B_T50A 1N978B_T50R 1N979A 1N979B 1N979B_T50A 1N979B_T50R 1N980A 1N980B 1N981A