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1N976B

配单专家企业名单
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  • 批号
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  • 说明
  • 操作
  • 1N976B-1JANTX
    1N976B-1JANTX

    1N976B-1JANTX

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 550

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1N976B-1JANTX
    1N976B-1JANTX

    1N976B-1JANTX

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 550

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司现货,只做原装!

  • 1N976B
    1N976B

    1N976B

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ITT

  • 07/08+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1N976B
    1N976B

    1N976B

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • MSC

  • DO-35

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共15条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 稳压二极管 Zener Diode
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齐纳电压
  • 12 V
  • 电压容差
  • 5 %
  • 电压温度系数
  • 0.075 % / K
  • 齐纳电流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄电流
  • 3 uA
  • 最大齐纳阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AC
  • 封装
  • Reel
1N976B 技术参数
  • 1N976A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 32.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N975B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N975B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):- 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N975B TR 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N975B BK 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 29.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N978B TR 1N978B_T50A 1N978B_T50R 1N979A 1N979B 1N979B_T50A 1N979B_T50R 1N980A 1N980B 1N981A 1N981B 1N982A 1N982B 1N983A 1N983B 1N984A 1N984B 1N985A
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