1NA117P

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1NA117P 技术参数

1N9C 功能描述:SPIRALWRAP .125" POLY 100FT/RL 制造商:hellermanntyton 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 1N992B 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N992A 功能描述:DIODE ZENER 200V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N991BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N991B 功能描述:DIODE ZENER 180V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:180V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:2200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 136.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1-NPO/603-1082 1-NPO/603-1178 1-NPO/603-1202 1-NPO/603-1326 1-NPO/603-1329 1-NPO/603-1332 1-NPO/603-1333 1-NPO/603-1334 1-NPO/603-1338 1-NPO/603-1339 1-NPT/603-1078 1-NPT/603-1325 1-NPT/603-1327 1-NPT/603-1330 1-NPT/603-1331 1-NPT/603-1335 1-NPT/603-1336 1-NPT/603-1340