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批号
价格
说明
操作

1PMT5936BT1G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
5895
ON/安森美
NA
-

1PMT5936BT1G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

1PMT5936BT1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6755
ON Semiconductor
ROHS
201321
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

1PMT5936BT1G
广州市睿科电子科技有限公司
广州市睿科电子科技有限公司
联系人：曾小姐/汤小姐
电话：1597539812513660603466
地址：花都区秀全街花港大道87号5楼
5895
onsemi
21+
-
只做原装，优势渠道，欢迎实单联系

1PMT5936BT1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ONSemicon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1PMT5936BT1G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

1PMT5936BT1G
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
深圳市艾飞琪电子科技有限公司
联系人：曹先生
电话：0755-239499810755-23037082
地址：深圳市福田区都会大厦B座29S
11790
ON/安森美
NA
21+
-
原装现货假一赔十

1PMT5936BT1G
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
5895
Onsemi
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

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功能描述
稳压二极管 6.2V 3.2W Powermite
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1PMT5936BT1G 技术参数

1PMT5936BT1 功能描述:DIODE ZENER 30V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5936BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5936BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5936B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5936B/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:28 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5937A/TR7 1PMT5937AE3/TR13 1PMT5937AE3/TR7 1PMT5937B/TR13 1PMT5937B/TR7 1PMT5937BE3/TR13 1PMT5937BE3/TR7 1PMT5937C/TR13 1PMT5937C/TR7 1PMT5937CE3/TR13 1PMT5937CE3/TR7 1PMT5937E3/TR13 1PMT5937E3/TR7 1PMT5938/TR13 1PMT5938/TR7 1PMT5938A/TR13 1PMT5938A/TR7 1PMT5938AE3/TR13

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