1SS226-TP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1SS226-TP
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
MCC(美微科)
SOT-23
刚到货
-
代理可含税开票

1SS226-TP
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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您是不是要找： 1SS244T-72 1SS244T-77 1SS250(TE85L,F) 1SS272TE85LF 1SS294,LF 1SS294S,LF(D 1SS295(TE85L,F) 1SS300,LF 1SS301,LF

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制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Diode Switching 80V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
DIODE ARRAY 80V 100MA SOT23
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
100mA, 80V

1SS226-TP 技术参数

1SS226,LF 功能描述:PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 工作温度 - 结:125°C（最大）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:3,000 1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T)