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1SS226TE85L

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 操作
  • 1SS226TE85L
    1SS226TE85L

    1SS226TE85L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 1SS226TE85L
    1SS226TE85L

    1SS226TE85L

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8255607918123760669

    地址:深圳市福田区上步工业区23栋上航大厦西座410

    资质:营业执照

  • 50000

  • TOSHIBA

  • SOT23-3

  • 21+

  • -
  • 1SS226TE85L
    1SS226TE85L

    1SS226TE85L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

  • 13+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 1SS226TE85L
    1SS226TE85L

    1SS226TE85L

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 50000

  • TOSHIBA

  • SOT23-3

  • 21+

  • -
  • 1SS226TE85L
    1SS226TE85L

    1SS226TE85L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • 原厂封装

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  • 功能描述
  • 二极管 - 通用,功率,开关 DIODE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 产品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向电压
  • 600 V
  • 正向连续电流
  • 200 A
  • 最大浪涌电流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢复时间
  • 2000 ns
  • 正向电压下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄电流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作温度范围
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • ISOTOP
  • 封装
  • Tube
1SS226TE85L 技术参数
  • 1SS226,LF 功能描述:PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管配置:1 对串联 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 工作温度 - 结:125°C(最大) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:3,000 1SS196(TE85L,F) 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS193-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 1SS193S,LF(D 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:3,000 1SS193,LF 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 工作温度 - 结:125°C(最大) 标准包装:1 1SS301,LF 1SS301SU,LF 1SS302A,LF 1SS302TE85LF 1SS306TE85LF 1SS307(TE85L,F) 1SS307E,L3F 1SS308(TE85L,F 1SS309(TE85L,F) 1SS315TPH3F 1SS319(TE85L,F) 1SS351-TB-E 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11
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