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1SS302ALF 80V0.1A SOT323 TSB

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1SS302ALF 80V0.1A SOT323 TSB 技术参数
  • 1SS302A,LF 功能描述:DIODE SW 80V 100MA USM SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 1SS301SU,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 1SS301,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 1SS300,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 1SS295(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对串联 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:4V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:30mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:320mV @ 2mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 500mV 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3 标准包装:1 1SS352,H3F 1SS355 RRG 1SS355TE-17 1SS355-TP 1SS355VMTE-17 1SS356TW11 1SS360(T5L,F,T) 1SS361,LJ(CT 1SS361CT(TPL3) 1SS361FV,L3F(T 1SS361LP3-7 1SS361LPH4-7B 1SS361UDJ-7 1SS362FV,L3F 1SS362TE85LF 1SS366-TB-E 1SS367,H3F 1SS370TE85LF
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