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1SV89M

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1SV89M 技术参数

1SV325,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:12pF @ 4V，1MHz 电容比:4.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV324TPH3F 功能描述:DIODE TCXO/VCO 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:12pF @ 4V，1MHz 电容比:4.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV323,H3F 功能描述:DIODE VARACTOR 10V ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效不同?Vr，F 时的电容:7.1pF @ 4V，1MHz 电容比:4.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:ESC 标准包装:1 1SV322(TPH3,F) 功能描述:DIODE VARACTOR 10V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产不同?Vr，F 时的电容:7.1pF @ 4V，1MHz 电容比:4.3 电容比条件:C1/C4 电压 - 峰值反向（最大值）:10V 二极管类型:单一不同 Vr，F 时的 Q 值:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 标准包装:1 1SV315-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F 时的电容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 1SX250LH3F55E2VG 1SX250LH3F55E3VG 1SX250LH3F55I1VG 1SX250LH3F55I2LG 1SX250LH3F55I2VG 1SX250LH3F55I3VG 1SX250LN2F43E1VG 1SX250LN2F43E2LG 1SX250LN2F43E2VG 1SX250LN2F43I1VG 1SX250LN2F43I2LG 1SX250LN2F43I2VG 1SX250LN3F43E1VG 1SX250LN3F43E2LG 1SX250LN3F43E2VG 1SX250LN3F43E3VG 1SX250LN3F43I1VG 1SX250LN3F43I2LG