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1TJE125DP1A000B

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    1TJE125DP1A000B

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 21070

  • KDS

  • XTAL32.768KHZ20PPM12

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 1TJE125DP1A000B
    1TJE125DP1A000B

    1TJE125DP1A000B

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 3000

  • KDS

  • N/A

  • 2008年

  • -
  • 专业代理分销,原装进口139113152...

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    1TJE125DP1A000B

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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • 1TJE125DP1A000B
    1TJE125DP1A000B

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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 60000

  • KDS/大真空

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

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  • 1
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1TJE125DP1A000B 技术参数
  • 1T7G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T7G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T7G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1T6G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1T6G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:TS-1 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1U16 1UHD844124FTC 1UHD904118FTC 1US03 1US08 1US09 1US16 1UW 1V00 1V03 1V08 1V09 1V15F1100 1V15F1139 1V16 1V5KE100A 1V5KE100CA 1V5KE10A
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