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20ETF04FPPBF

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  • 20ETF04FPPBF
    20ETF04FPPBF

    20ETF04FPPBF

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • IR

  • TO-220

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
20ETF04FPPBF PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • DIODE FAST REC 400V 20A TO220AC
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 100
  • 系列
  • -
  • 二极管类型
  • 标准
  • 电压 - (Vr)(最大)
  • 50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)
  • 6A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
  • 1.4V @ 6A
  • 速度
  • 快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)
  • 300ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
  • 15µA @ 50V
  • 电容@ Vr, F
  • -
  • 安装类型
  • 底座,接线柱安装
  • 封装/外壳
  • DO-203AA,DO-4,接线柱
  • 供应商设备封装
  • DO-203AA
  • 包装
  • 散装
  • 其它名称
  • *1N3879
20ETF04FPPBF 技术参数
  • 20ETF04FP 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220AB 整包 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF02STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF02STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF02S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF08STRL 20ETF08STRR 20ETF10 20ETF10FP 20ETF10S 20ETF10STRL 20ETF10STRR 20ETF12 20ETF12FP 20ETF12S 20ETS08 20ETS08FP 20ETS08S 20ETS08STRL 20ETS08STRR 20ETS12 20ETS12FP 20ETS12S
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