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20ETF10STRR

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 20ETF10STRR
    20ETF10STRR

    20ETF10STRR

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 256

  • Vishay Semiconductors

  • 标准封装

  • 23+

  • -
  • 真实的资源竭诚服务您!

  • 20ETF10STRR
    20ETF10STRR

    20ETF10STRR

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • VISHAY

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 整流器 1000 Volt 20 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
20ETF10STRR 技术参数
  • 20ETF10STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF10S 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF10FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 整包 供应商器件封装:TO-220AC 整包 工作温度 - 结:* 标准包装:50 20ETF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF08STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETS12FP 20ETS12S 20ETS12STRL 20ETS12STRR 20-F40-10 20FLZ-RSM1-TB 20FLZ-RSM2-TB(LF)(SN) 20FLZ-SM1-TB 20FLZ-SM2-TB(LF)(SN) 20FMN-BMT-A-TF 20FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTR-A-TB 20FMN-BMTTN-A-TF 20FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTTR-A-TB 20FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 20FMN-SMT-A-TF 20FMN-SMT-A-TF(LF)(SN)
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