20ETF12PBF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

20ETF12PBF
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
19
IR
TO-220
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

1/1页 40条/页共24条
1

您是不是要找： 20ETF12S 20ETS08 20ETS08FP 20ETS08S 20ETS08STRL 20ETS08STRR 20ETS12 20ETS12FP 20ETS12S

20ETF12PBF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

20ETF12PBF PDF下载

功能描述
DIODE FAST REC 1200V 20A TO220AC
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

20ETF12PBF 技术参数

20ETF12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:50 20ETF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETF10STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF10STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 20ETF10S 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.31V @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 20ETS12STRL 20ETS12STRR 20-F40-10 20FLZ-RSM1-TB 20FLZ-RSM2-TB(LF)(SN) 20FLZ-SM1-TB 20FLZ-SM2-TB(LF)(SN) 20FMN-BMT-A-TF 20FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTR-A-TB 20FMN-BMTTN-A-TF 20FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 20FMN-BMTTR-A-TB 20FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 20FMN-SMT-A-TF 20FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 20G LARGE 20GD27