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2N2222T

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

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2N2222T 技术参数
  • 2N2222AUBTXV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 15mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 1mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-CLCC 供应商器件封装:4-CLCC(3.05x2.415) 标准包装:1 2N2222AUBTX 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 15mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 1mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-CLCC 供应商器件封装:4-CLCC(3.05x2.415) 标准包装:1 2N2222AUB 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:3-SMD 标准包装:1 2N2222AUATXV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 1mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-CLCC 供应商器件封装:4-CLCC(5.59x3.81) 标准包装:1 2N2222AUATX 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A SMT 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):75 @ 1mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-CLCC 供应商器件封装:4-CLCC(5.59x3.81) 标准包装:1 2N2324 2N2324A 2N2324AS 2N2324AU4 2N2324S 2N2324U4 2N2325 2N2325A 2N2325AS 2N2325AU4 2N2325S 2N2325U4 2N2326 2N2326A 2N2326AS 2N2326AU4 2N2326S 2N2326U4
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