2N3391A_L99Z

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功能描述
两极晶体管 - BJT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N3391A_L99Z 技术参数

2N3391A 功能描述:TRANS NPN 25V TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:250 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N3390_D75Z 功能描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3390 功能描述:TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N336T2 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N336LT2 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3416_D26Z 2N3416_D27Z 2N3416_D29Z 2N3416_D74Z 2N3417 2N3417 APM 2N3417_D26Z 2N3417_D27Z 2N3417_D74Z 2N3417_D75Z 2N3417_D89Z 2N3418 2N3418S 2N3419 2N3419S 2N3420 2N3420S 2N3421