2N3634UB

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2N3634UB
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83276452
地址：坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室
9900
Microchip Technology
3-SMD
23+
-
微芯专营优势产品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
PNP TRANSISTOR UB LAW - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film

2N3634UB 技术参数

2N3634L 功能描述:TRANS PNP 140V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3634 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3585 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3584 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3583 功能描述:TRANS NPN 175V 1A TO-66 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 125mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:35W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-213AA，TO-66-2 供应商器件封装:TO-66 标准包装:30 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715