2N3820_Q

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功能描述
JFET P-Channel Transistor General Purpose
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N3820_Q 技术参数

2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:20V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:32pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N3820 功能描述:JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:20V 漏源电压（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300mA @ 10V 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:8V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:32pF @ 10V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N3819_D74Z 功能描述:TRANSISTOR RF N-CH 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:50mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3819_D27Z 功能描述:TRANSISTOR RF N-CH 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:50mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3819 PBFREE 功能描述:TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:Digi-Reel? 零件状态:有效晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2N3867S 2N3868 2N3868S 2N3879 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z