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2N4352

配单专家企业名单
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  • 2N4352
    2N4352

    2N4352

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 8566

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  • 绝对公司原装现货

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • CALOGIC

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2N4352
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 2N4352
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  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:

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    地址:深南中路佳和大厦B座907

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  • 2N4352
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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

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    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 500

  • CALOGIC LLC

  • 主营优势

  • 1815

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  • 100%原装正品★终端免费供样★

  • 1/1页 40条/页 共26条 
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  • 制造商
  • Calogic LLC
  • 功能描述
  • 2N4352 Series 25 V 30 mA P-Ch MOSFET General Purpose Amplifier/Switch - TO-72
2N4352 技术参数
  • 2N4340 功能描述:TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:15V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:50V 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N4339-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):500μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4339-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):500μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):500μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):600mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4338-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):50V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):300mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393 2N4393-2 2N4393-E3
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