2N4855A

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2N4855A 技术参数

2N4854UTX 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN，PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-CLCC 供应商器件封装:6-CLCC 标准包装:1 2N4854U 功能描述:NPN/PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/317 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46（TO-206AB）标准包装:1 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860