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2N4860A

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  • 2N4860A
    2N4860A

    2N4860A

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 18807

  • SOLID STATE

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 2N4860A
    2N4860A

    2N4860A

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ORIGINAL

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装特价现货!

  • 2N4860A
    2N4860A

    2N4860A

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • interFET CORPORATION

  • NULL

  • NULL

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品,质量保障

  • 2N4860A
    2N4860A

    2N4860A

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 100

  • SOLID STA

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 1
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  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • TRANSISTORJFET N CH30VTO18
  • 制造商
  • SOLID STATE
  • 功能描述
  • TRANSISTOR,JFET, N CH,30V,TO18
  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • JFET Transistor; Transistor Type
2N4860A 技术参数
  • 2N4860 功能描述:JFET N-Channel 30V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/385 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):18pF @ 10V 电阻 - RDS(开):40 欧姆 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4859UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4859JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4859JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4859JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G
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