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2N4991

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • BILATERAL SWITCH 5MATO-92
  • 制造商
  • SOLID STATE
  • 功能描述
  • BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92
  • 制造商
  • Solid State Devices Inc (SSDI)
  • 功能描述
  • BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92; Gate Trigger Current Max (QI), Igt
2N4991 技术参数
  • 2N498 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N497 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-72-3 金属罐 供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N4953_D26Z 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5038G 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058 2N5060 2N5060G 2N5060RLRAG 2N5060RLRM 2N5060RLRMG 2N5061 2N5061G 2N5061RLRA 2N5061RLRAG 2N5062 2N5062G 2N5062RLRA
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