2N4992

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2N4992
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
BILATERAL SWITCH 5MATO-92
制造商
SOLID STATE
功能描述
BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92; Gate Trigger Current Max (QI), Igt

2N4992 技术参数

2N498 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N497 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-72-3 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:1 2N4953_D26Z 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5038G 2N5039 2N5050 2N5051 2N5052 2N5058 2N5060 2N5060G 2N5060RLRAG 2N5060RLRM 2N5060RLRMG 2N5061 2N5061G 2N5061RLRA 2N5061RLRAG 2N5062 2N5062G 2N5062RLRA