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2N5087TFR

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  • 2N5087TFR
    2N5087TFR

    2N5087TFR

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • FAIRCHILD/仙童

  • TO92

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 1
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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2N5087TFR 技术参数
  • 2N5087TF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5087TAR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5087TA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5087RLRAG 功能描述:TRANS PNP 50V 0.05A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N5087RLRA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.05A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 100μA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:10 2N5088TAR 2N5088TF 2N5088TFR 2N5089 2N5089_J18Z 2N5089BU 2N5089G 2N5089RLRA 2N5089RLRAG 2N5089TA 2N5089TAR 2N5089TF 2N5089TFR 2N5091 2N5092 2N5093 2N5109 2N5114
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