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2N5153U3

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    2N5153U3

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 300

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • 2N5153U3
    2N5153U3

    2N5153U3

  • 深圳市华思半导体技术有限公司
    深圳市华思半导体技术有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-8329998313662227781

    地址:华强北路华强广场B座27K

    资质:营业执照

  • 18000

  • MACOM

  • 原厂封装

  • 23+

  • -
  • 全新原装现货,特价支持

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin SMD-0.5
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • PNP TRANSISTOR - Bulk
2N5153U3 技术参数
  • 2N5152L 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5152 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5151L 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5151 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5116UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 25mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):30V 漏源极电压(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):25mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):27pF @ 15V 电阻 - RDS(开):175 欧姆 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G 2N5195 2N5195 SL H 2N5195G 2N5204 2N5209 2N5210 2N5210_D81Z 2N5210_J05Z
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