2N5564-E3

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说明
操作

2N5564-E3
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7600
VISHAY
CAN6
22+
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公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

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功能描述
JFET 40V 5mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N5564-E3 技术参数

2N5555_D74Z 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5555 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:15mA 噪声系数:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5551ZL1G 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5551ZL1 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5551TFR 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N5639_D75Z 2N5639G 2N5639RLRAG 2N5655 2N5655G 2N5657 2N5657G 2N5660 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681