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配单专家企业名单

型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

2N5639
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8566
MOT
CAN
15+
-
绝对公司原装现货

2N5639
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
FAIRCHILD
TO-92
15+
-
原装正品，假一罚十

2N5639G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ON
标准封装
最新
-
全新原装100%正品保证质量

2N5639
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5801
FAIR
936
-
公司现货!只做原装!

2N5639
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
NATIONAL SEMICONDUCTOR
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

2N5639
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
20000
MICRO
Standard
2024+
-
代理原装现货假一赔十

2N5639
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
TO-92
22+
-
全新原装现货热卖

2N5639
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
380000
FSC
TO-92
99+
-
全新原装现货

2N5639
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7500
FAIRCHILD
TO-92
13+
-
全新原装，现货，价优！

2N5639
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
TO-92-3
17+
-
全新原装现货

2N5639
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
NS
TO-92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N5639G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
JFET N-CHANNEL 30V 50mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N5639 技术参数

2N5638RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:2,000 2N5638RLRA 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:2,000 2N5638_D26Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5638 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:30 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5582 功能描述:TRANS NPN 50V 0.8A TO-46 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46-3 标准包装:1 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769