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2N6027RLG

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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2N6027RLG 技术参数
  • 2N6027RL1G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:1 2N6027RL1 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:2,000 2N6027G 功能描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 标准包装:5,000 2N6027 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件状态:在售 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:6V 电压 - 偏移(Vt):1.6V 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 标准包装:2,500 2N5963 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 500μA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):2nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1200 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N6034 2N6034G 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G
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