2N6027RLRAG/2K

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2N6027RLRAG/2K 技术参数

2N6027RLRAG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:1 2N6027RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:10 2N6027RL1G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:1 2N6027RL1 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:2,000 2N6027G 功能描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）标准包装:5,000 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049