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2N6030G

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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2N6030G 技术参数
  • 2N6028RLRPG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:1 2N6028RLRP 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:2,000 2N6028RLRMG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:1 2N6028RLRAG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:1 2N6028RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期 电压:40V 功率耗散(最大值):300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移(Vt):600mV 电流 - 栅极至阳极漏(Igao):10nA 电流 - 谷值(Iv):25μA 电流 - 峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 标准包装:1 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG
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