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2N6041G

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
2N6041G 技术参数
  • 2N6041 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 2N6040G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6040 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6039G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N6039 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z
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