2N6288 LEDFREE

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Pwr SW
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N6288 LEDFREE 技术参数

2N6288 功能描述:TRANS NPN 30V 7A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:7A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 3A，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 3A，4V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6287G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 10A，3V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6287 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6286G 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 20A TO-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 200mA，20A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 10A，3V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6286 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6308 2N6315 2N6316 2N6317 2N6329 2N6330 2N6338 2N6338G 2N6339 2N6340 2N6341 2N6341G 2N6344AG 2N6344G 2N6348AG 2N6349AG 2N6350 2N6352