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2N6428A

配单专家企业名单
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  • 2N6428ATA
    2N6428ATA

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • FSC

  • 标准封装

  • 07+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2N6428A
    2N6428A

    2N6428A

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 10000

  • MOT

  • TO-92

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 2N6428A
    2N6428A

    2N6428A

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

  • 50000

  • HGF

  • TO-92

  • 假一赔十!

  • -
  • 绝对原装现货!!

  • 2N6428A
    2N6428A

    2N6428A

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 853240

  • MOTOROLA

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理,原装正品现货!!

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  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 制造商全称
  • Samsung semiconductor
  • 功能描述
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N6428A 技术参数
  • 2N6428 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):25nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):250 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N6427RLRAG 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N6427RLRA 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N6427G 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 2N6427_D75Z 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):14000 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N6487 2N6487G 2N6488 2N6488G 2N6490 2N6490G 2N6491 2N6491G 2N6497 2N6497G 2N6502 2N6504G 2N6505G 2N6505TG 2N6507G 2N6507TG 2N6508G 2N6508TG
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