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2N7002DWL6327

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  • 2N7002DWL6327
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • INFINEON

  • SOT-363

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  • 2N7002DWL6327
    2N7002DWL6327

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 82490

  • INFINEON

  • SOT-363

  • 新年份

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  • 2N7002DWL6327
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 1525

  • INFINEON

  • SOT-363

  • 2009

  • -
  • 全新原装现货

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2N7002DWL6327 技术参数
  • 2N7002DWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 2N7002DWA-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 115mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.87nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):22pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 2N7002DW-7-F 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):230mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 2N7002DW-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):230mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 2N7002DW L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1
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