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2SA1020RLRA
参数信息:

功能描述:两极晶体管 - BJT 1W High Current PNP

RoHS:

制造商:STMicroelectronics

配置:

晶体管极性:PNP

集电极—基极电压 VCBO:

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V

集电极—射极饱和电压:

最大直流电集电极电流:

增益带宽产品fT:

直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A

最大工作温度:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SA1020RLRA技术参数

2SA1020RLRAG 功能描述:两极晶体管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 2SA1020-X-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR 2SA1020-X-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR 2SA1020-X-T9N-B 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR 2SA1020-X-T9N-K 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR 2SA1020Y 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD TRANSISTOR 2SA1020-Y 2SA1020-Y 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR 2SA1020-Y(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -2A 120 to 240 LSTM 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -2A 120 to 240 LSTM Bulk 2SA1020-Y(TE6,F,M) 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -50V -2A 900mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 2SA1020-Y-AB3-B 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR