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2SA1162-GRT5L.M

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2SA1162-GRT5L.M 技术参数
  • 2SA1162-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA11270RA 功能描述:TRANS PNP 55V 0.1A TO-92 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):55V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2SA11240R 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A TO-92L 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):130 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92 标准包装:200 2SA11230RA 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A TO-92 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 3mA,30mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):130 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2SA11100Q 功能描述:TRANS PNP 120V 0.5A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):90 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1.2W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126 标准包装:1,000 2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-TB-E 2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-Y,LF 2SA1186 2SA1201-Y-TP 2SA1213-Y-TP 2SA1215 2SA1216 2SA1225-Y(Q) 2SA1242-Y(Q) 2SA1244-Y(Q) 2SA1294 2SA1295 2SA1298-Y,LF 2SA1303 2SA1309A0A
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