2SA1873-GRTE85L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SA1873-GRTE85L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14495
TOSHIBA S
1521+
-
全新原装现货

2SA1873-GRTE85L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品价格极优电话010-62104...

2SA1873-GRTE85L
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

2SA1873-GRTE85L
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
2809
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

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1

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功能描述
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
晶体管类型
2 PNP（双）配对，共发射极
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
80MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装
USV
标准包装
1

2SA1873-GRTE85L 技术参数

2SA1873-GR(TE85L,F 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應晶体管类型:2 PNP（双）配对，共发射极电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 工作温度:125°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标准包装:1 2SA1869-Y,Q(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1869-Y,MTSAQ(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1869-Y(Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1869-Y(JKT,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930(Q,M) 2SA1930,CKQ(J 2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930,ONKQ(J 2SA1930,Q(J 2SA1931(NOMARK,A,Q 2SA1931,BOSCHQ(J 2SA1931,KEHINQ(M 2SA1931,NETQ(J 2SA1931,NETQ(M 2SA1931,NIKKIQ(J 2SA1931,NSEIKIQ(J 2SA1931,Q(J 2SA1931,SINFQ(J 2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU