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2SA1930(ONK,Q,M)

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    2SA1930(ONK,Q,M)

    2SA1930(ONK,Q,M)

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

  • 17+

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  • 功能描述
  • TRANS PNP 2A 180V TO220-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 停產
  • 晶体管类型
  • PNP
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
  • 2A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 180V
  • 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
  • 1V @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
  • 5μA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
  • 100 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值
  • 2W
  • 频率 - 跃迁
  • 200MHz
  • 工作温度
  • 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装
  • TO-220NIS
  • 标准包装
  • 1
2SA1930(ONK,Q,M) 技术参数
  • 2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1909 功能描述:TRANS PNP 140V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1908 功能描述:TRANS PNP 120V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1907 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2A，4V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1900T100Q 功能描述:TRANS PNP 50V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SA1931,NETQ(M 2SA1931,NIKKIQ(J 2SA1931,NSEIKIQ(J 2SA1931,Q(J 2SA1931,SINFQ(J 2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J
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