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2SA1930(Q,M)

配单专家企业名单
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  • 封装
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  • 2SA1930(Q,M)
    2SA1930(Q,M)

    2SA1930(Q,M)

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1137

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 2SA1930(Q,M)
    2SA1930(Q,M)

    2SA1930(Q,M)

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SA1930(Q,M)
    2SA1930(Q,M)

    2SA1930(Q,M)

  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人:

    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

  • 0

  • TOSHIBA/东芝

  • TO-220

  • 原装正品

  • -
  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • 1/1页 40条/页 共11条 
  • 1
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  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT PNP 180V 2A Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2SA1930(Q,M) 技术参数
  • 2SA1930(ONK,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930(LBS2MATQ,M 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):180V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1909 功能描述:TRANS PNP 140V 10A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1908 功能描述:TRANS PNP 120V 8A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1907 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,12A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 2A,4V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SA1931,NIKKIQ(J 2SA1931,NSEIKIQ(J 2SA1931,Q(J 2SA1931,SINFQ(J 2SA1943N(S1,E,S) 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J
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