2SA1931(Q)

配单专家企业名单

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说明
操作

2SA1931(Q)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
TOSHIBA
标准封装
03+
-
全新原装100%正品保证质量

2SA1931(Q)
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
TOSHIBA
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功能描述
两极晶体管 - BJT PNP 50V 5A Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SA1931(Q) 技术参数

2SA1931(NOMARK,A,Q 功能描述:TRANS PNP 5A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，1V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:60MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930,Q(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930,ONKQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930,LBS2DIAQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1930,CKQ(J 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1943-O(Q) 2SA1943OTU 2SA1943RTU 2SA1952TLQ 2SA1954-A(TE85L,F) 2SA1954BTE85LF 2SA1955FVATPL3Z 2SA1955FVBTPL3Z 2SA1962-O(Q) 2SA1962OTU 2SA1962RTU 2SA1972,F(J 2SA1972,T6WNLF(J 2SA1977-A 2SA1977-T1B-A 2SA1978-A 2SA1978-T1B-A 2SA2007E