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2SA1977-T1B-A

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SA1977-T1B-A
    2SA1977-T1B-A

    2SA1977-T1B-A

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • CEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SA1977-T1B-A
    2SA1977-T1B-A

    2SA1977-T1B-A

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • CEL

  • SOT-23

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SA1977-T1B-A(FB)
    2SA1977-T1B-A(FB)

    2SA1977-T1B-A(FB)

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • RENESAS

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • 2SA1977-T1B-A
    2SA1977-T1B-A

    2SA1977-T1B-A

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • CEL

  • 22+

  • -
  • 原装正品

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
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  • 功能描述
  • RF TRANSISTOR PNP SOT-23
  • 制造商
  • cel
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • 晶体管类型
  • PNP
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 12V
  • 频率 - 跃迁
  • 8.5GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
  • 1.5dB @ 1GHz
  • 增益
  • 12dB
  • 功率 - 最大值
  • 200mW
  • 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
  • 20 @ 20mA,8V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 50mA
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装
  • SOT-23
  • 标准包装
  • 3,000
2SA1977-T1B-A 技术参数
  • 2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA1972,F(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q
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