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2SA1980UF Y_PF

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    2SA1980UF Y_PF

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 865000

  • AUK

  • SOT23-3

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2SA1980UF Y_PF 技术参数
  • 2SA1978-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SA1978-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 15mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SA1977-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SA1977-A 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,8V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P 2SA20670PA 2SA20670QA 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L
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